MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS The **TC58DVM92A1FT00** is a NAND flash memory product manufactured by **TOSHIBA**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 1Gb (128MB)  
- **Organization:**  
  - Page Size: 512 + 16 Bytes (Main + Spare)  
  - Block Size: 16KB + 512 Bytes (32 Pages per Block)  
- **Interface:** Asynchronous 8-bit I/O  
- **Voltage Supply:**  
  - **Vcc:** 2.7V - 3.6V  
- **Operating Temperature Range:**  
  - Commercial Grade: 0°C to +70°C  
  - Industrial Grade: -40°C to +85°C  
- **Package:**  
  - **TSOP48** (48-pin Thin Small Outline Package)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Reliability:** Supports **ECC (Error Correction Code)** for data integrity.  
- **Fast Performance:**  
  - Page Read Time: **25µs (max)**  
  - Page Program Time: **200µs (typ)**  
  - Block Erase Time: **2ms (typ)**  
- **Command Set Compatibility:** Supports standard NAND flash commands.  
- **On-Chip Bad Block Management:** Includes **factory-marked bad blocks** and supports dynamic bad block management.  
- **Power Consumption:** Low power operation suitable for embedded systems.  
- **Applications:** Used in consumer electronics, industrial systems, and embedded storage solutions.  

This information is based on TOSHIBA's official documentation for the **TC58DVM92A1FT00** NAND flash memory.