60 V, 400 mW silicon schottky barrier diode The 1N6263 is a Schottky barrier diode manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications:

- **Type**: Schottky Barrier Diode
- **Package**: DO-35
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 30 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 0.5 V (typical) at 10 mA
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 5 µA (maximum) at 25 V
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +125°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +150°C

These specifications are based on the datasheet provided by STMicroelectronics for the 1N6263 diode.