11.12-12.28 zener diode The 1N945B is a silicon rectifier diode manufactured by APD (American Power Devices). Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 200V
- **Maximum RMS Voltage (VRMS)**: 140V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VDC)**: 200V
- **Maximum Average Forward Rectified Current (IO)**: 1.0A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 30A (non-repetitive)
- **Maximum Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1V at 1.0A
- **Maximum Reverse Current (IR)**: 5.0µA at 200V
- **Operating Junction Temperature Range (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-41

These specifications are based on the standard operating conditions provided by the manufacturer.

11.12-12.28 zener diode The 1N945B is a silicon rectifier diode manufactured by SII (Seiko Instruments Inc.). Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 200V
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 1A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 30A (non-repetitive)
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1V (typical at 1A)
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 5µA (maximum at 200V)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -55°C to +150°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -55°C to +150°C
- **Package**: DO-41

These specifications are based on the standard datasheet provided by SII for the 1N945B diode.