Medium Output MOSFETs The ECH8402 is a power MOSFET transistor manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 3A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 12A
- **Power Dissipation (P_tot)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 3.5Ω (typical) at V_GS = 10V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 200pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 30pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typical)
- **Rise Time (t_r)**: 50ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60ns (typical)
- **Fall Time (t_f)**: 30ns (typical)
- **Package**: TO-220 (isolated tab)

These specifications are based on standard operating conditions (T_j = 25°C unless otherwise noted).

Medium Output MOSFETs The ECH8402 is a transistor manufactured by Sanyo. Below are its specifications based on Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
2. **Application**: Designed for high-frequency amplification and oscillation in VHF band applications.  
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V  
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V  
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V  
6. **Collector Current (IC)**: 50mA  
7. **Total Power Dissipation (PTOT)**: 300mW  
8. **Junction Temperature (Tj)**: 125°C  
9. **Transition Frequency (fT)**: 600MHz (min)  
10. **Noise Figure (NF)**: 3dB (typical at 100MHz)  
11. **Package**: TO-92  

These specifications are for reference only. For precise details, consult the official datasheet.