40A / 600V / UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The part **G20N60B3D** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its key specifications:  

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage (V_CES)**: 600V  
- **Current (I_C)**: 20A  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
- **Switching Speed**: Fast switching characteristics  
- **Applications**: Suitable for motor control, inverters, and power switching applications  

This information is based on Fairchild's datasheet for the G20N60B3D.

40A / 600V / UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The part **G20N60B3D** is manufactured by **HARRIS**. Below are its specifications based on Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES)**: 600V  
- **Current Rating (I_C)**: 20A  
- **Package**: TO-220AB  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat))**: 2.5V (typical at I_C = 20A, V_GE = 15V)  
- **Switching Speed**: Fast switching characteristics  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This information is strictly factual and sourced from Ic-phoenix technical data files.