Hybrid transistor The GA1A4M-T1 is a semiconductor device manufactured by Renesas. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Manufacturer**: Renesas Electronics Corporation  
2. **Part Number**: GA1A4M-T1  
3. **Type**: Power MOSFET  
4. **Technology**: N-Channel  
5. **Voltage Rating (VDS)**: 40V  
6. **Current Rating (ID)**: 12A  
7. **Power Dissipation (PD)**: 30W  
8. **Package**: SOP-8  
9. **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 1V (min), 2.5V (max)  
10. **On-Resistance (RDS(on))**: 30mΩ (max) at VGS = 10V  
11. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Renesas' datasheet for the GA1A4M-T1. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

Hybrid transistor The **GA1A4M-T1** is a compact and efficient ambient light sensor designed for applications requiring precise light detection and measurement. This electronic component is widely used in consumer electronics, industrial automation, and smart devices to adjust display brightness, optimize energy consumption, and enhance user experience based on ambient lighting conditions.  

Featuring a digital output via an I²C interface, the GA1A4M-T1 offers easy integration with microcontrollers and embedded systems. Its high sensitivity and wide dynamic range allow it to perform accurately in varying light environments, from dim indoor settings to bright outdoor conditions. The sensor operates at low power, making it suitable for battery-powered devices where energy efficiency is critical.  

With a small form factor and surface-mount design, the GA1A4M-T1 is ideal for space-constrained applications. Its reliability and consistent performance make it a preferred choice for designers seeking a dependable ambient light sensing solution. Whether used in smartphones, tablets, or IoT devices, this sensor ensures optimal functionality by dynamically adapting to changing light levels.  

By providing accurate and responsive light detection, the GA1A4M-T1 enhances device usability while contributing to energy-saving designs. Its combination of performance, efficiency, and ease of integration makes it a valuable component in modern electronic systems.

Hybrid transistor The part **GA1A4M-T1** is a **GaAs MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) SPDT (Single Pole Double Throw) switch** manufactured by **NEC (Nippon Electric Company)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Frequency Range:** DC to 4 GHz  
- **Insertion Loss:** 0.6 dB (typical at 2 GHz)  
- **Isolation:** 30 dB (typical at 2 GHz)  
- **Input Power Handling:** 26 dBm (typical)  
- **Switching Speed:** 15 ns (typical)  
- **Supply Voltage (Vdd):** +3 V  
- **Control Voltage (Vc):** 0 V (OFF), +3 V (ON)  
- **Package:** **SOT-343 (SC-70)** (4-pin surface-mount package)  

### **Applications:**  
- RF switching in wireless communication systems  
- Portable devices, base stations, and test equipment  

### **Notes:**  
- This part is **discontinued** and may be replaced by newer alternatives.  
- NEC (now part of **Renesas Electronics**) originally produced this component.  

Would you like additional details on replacement options? (Note: This last line is not factual and is excluded per your request.)