### **Specifications:**  
- **Type:** GaAs FET (Gallium Arsenide Field-Effect Transistor)  
- **Package:** SOT-89 (TO-243)  
- **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Voltage (Vds):** 12V  
- **Current (Id):** 100mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 1.3W  
- **Frequency Range:** Suitable for microwave and RF circuits  

For exact electrical characteristics and performance curves, refer to the official NEC datasheet.