MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR The GA1L3N is a semiconductor device manufactured by NEC. It is a GaAs (Gallium Arsenide) Schottky barrier diode designed for high-frequency applications. Key specifications include:

- **Type**: Schottky barrier diode  
- **Material**: Gallium Arsenide (GaAs)  
- **Forward Voltage (VF)**: Typically 0.7V at 10mA  
- **Reverse Voltage (VR)**: 15V  
- **Capacitance (Ct)**: 0.3pF (typical at 0V, 1MHz)  
- **Reverse Recovery Time (trr)**: Extremely fast (Schottky diodes have negligible reverse recovery)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C  

This diode is commonly used in RF mixers, detectors, and high-speed switching circuits due to its low capacitance and fast switching characteristics.  

(Note: Always verify datasheet details for precise application conditions.)