MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR The part **GA1L4M** is manufactured by **Toshiba**. It is a **GaN (Gallium Nitride) Power Transistor** designed for high-frequency and high-efficiency power conversion applications.  

### Key Specifications:  
- **Type:** Enhancement-mode GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor)  
- **Voltage Rating:** 600V  
- **Current Rating:** 10A (continuous)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 150 mΩ (typical)  
- **Package:** TO-220  
- **Switching Speed:** High-speed switching capability (suitable for MHz-range operation)  
- **Applications:** Power supplies, inverters, motor drives, and wireless power transfer  

This transistor leverages GaN technology for improved efficiency and thermal performance compared to traditional silicon-based power devices.  

(Source: Toshiba Semiconductor datasheet for GA1L4M)

MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR The part **GA1L4M** is manufactured by **NEC**. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: NEC  
- **Part Number**: GA1L4M  
- **Type**: Optocoupler / Photocoupler  
- **Configuration**: Single Channel  
- **Isolation Voltage**: 5000Vrms (min)  
- **Input Current (IF)**: 50mA (max)  
- **Output Type**: Phototransistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 30V (max)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +100°C  
- **Package**: DIP-4  

These are the confirmed specifications for the NEC GA1L4M optocoupler. No additional recommendations or interpretations are provided.