Silicon Schottky Barrier Double Diodes . The GBAT54 is a Schottky barrier diode manufactured by GTM. Below are its key specifications:  

- **Type**: Schottky Diode  
- **Package**: SOD-323 (MiniMELF)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30V  
- **Average Rectified Forward Current (IF)**: 200mA  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 500mA  
- **Forward Voltage (VF)**: 0.5V (typical) at 10mA  
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 0.2μA (typical) at 25°C  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C  
- **Junction Capacitance (Cj)**: 4pF (typical) at 0V, 1MHz  

These specifications are based on GTM's datasheet for the GBAT54 diode.