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GE28F320C3BD70 from INTEL

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GE28F320C3BD70

Manufacturer: INTEL

Advanced Boot Block Flash Memory (C3)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
GE28F320C3BD70 INTEL 765 In Stock

Description and Introduction

Advanced Boot Block Flash Memory (C3) The GE28F320C3BD70 is a flash memory component manufactured by Intel. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer:** Intel  
- **Part Number:** GE28F320C3BD70  
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 32 Mbit (4 MB)  
- **Organization:** 4M x 8 (byte-wide) or 2M x 16 (word-wide)  
- **Supply Voltage:** 3.0V - 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Package Type:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Technology:** NOR Flash  
- **Interface:** Parallel  
- **Sector Architecture:** Uniform 64 KB sectors  
- **Endurance:** 100,000 write cycles per sector  
- **Data Retention:** 20 years  

This information is based on Intel's official documentation for the GE28F320C3BD70 flash memory component.

Application Scenarios & Design Considerations

Advanced Boot Block Flash Memory (C3) # Technical Documentation: Intel GE28F320C3BD70 Flash Memory Component

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The Intel GE28F320C3BD70 is a 32-Mbit (4MB) parallel NOR Flash memory component designed for embedded systems requiring reliable non-volatile storage with fast read access. Typical applications include:

-  Boot Code Storage : Primary boot loader storage in networking equipment, industrial controllers, and automotive systems
-  Firmware Storage : Operating system and application firmware storage in embedded Linux and RTOS environments
-  Execute-in-Place (XIP) Applications : Code execution directly from flash memory in memory-constrained systems
-  Configuration Data Storage : Critical system parameters and calibration data requiring non-volatile retention

### Industry Applications
 Industrial Automation : Program storage for PLCs, motor controllers, and process control systems where reliability and data integrity are paramount. The component's wide temperature range (-40°C to +85°C) supports harsh industrial environments.

 Telecommunications : Firmware storage in routers, switches, and base station equipment requiring fast boot times and reliable code execution.

 Automotive Electronics : Engine control units, infotainment systems, and advanced driver assistance systems (ADAS) where the component meets automotive-grade reliability requirements.

 Medical Devices : Critical medical equipment firmware storage where data integrity and reliability are non-negotiable.

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  Fast Read Performance : 70ns initial access time with page mode capability for burst reads
-  High Reliability : 100,000 program/erase cycles minimum endurance
-  Data Retention : 20-year data retention guarantee
-  Hardware Protection : Block locking and password protection features
-  Wide Voltage Range : 2.7V to 3.6V operation with low power consumption

 Limitations: 
-  Slower Write Performance : Typical block erase time of 0.7s and byte program time of 9μs
-  Limited Density : 32-Mbit density may be insufficient for modern complex applications
-  Parallel Interface : Requires multiple I/O pins compared to serial flash alternatives
-  Legacy Technology : Being replaced by newer flash technologies in many applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Power Sequencing Issues 
-  Problem : Improper power-up/down sequencing can cause data corruption or latch-up
-  Solution : Implement proper power management with monitored voltage supervisors and sequenced power rails

 Signal Integrity Challenges 
-  Problem : Long trace lengths and improper termination causing signal reflections
-  Solution : Keep address/data lines under 3 inches, use series termination resistors (22-33Ω) near the flash device

 Erase/Program Timing Violations 
-  Problem : Insufficient delay between command sequences leading to operation failures
-  Solution : Strictly adhere to timing specifications in datasheet, implement proper software delays

### Compatibility Issues with Other Components
 Microcontroller Interface 
- Compatible with most 16-bit and 32-bit microcontrollers with external memory interface
- May require voltage level translation when interfacing with 1.8V or 5V systems
- Check timing compatibility with host processor's memory controller specifications

 Mixed Memory Systems 
- Can coexist with SRAM and DRAM in unified memory architectures
- Potential bus contention issues require proper chip select and output enable management
- Consider separate memory spaces for flash and RAM to simplify memory mapping

### PCB Layout Recommendations
 Power Distribution 
- Use dedicated power planes for VCC and VCCQ
- Place 0.1μF decoupling capacitors within 5mm of each power pin
- Additional 10μF bulk capacitor near the device for transient load support

 Signal Routing 
- Route address/data buses as matched-length groups with 50Ω characteristic impedance
-

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
GE28F320C3BD70 INTEL 294 In Stock

Description and Introduction

Advanced Boot Block Flash Memory (C3) The GE28F320C3BD70 is a flash memory device manufactured by Intel. Below are its specifications:

1. **Memory Type**: NOR Flash  
2. **Density**: 32 Mbit (4 MB)  
3. **Organization**: 4M x 8-bit or 2M x 16-bit  
4. **Supply Voltage**: 3.0V to 3.6V  
5. **Access Time**: 70 ns  
6. **Operating Temperature Range**: -40°C to +85°C  
7. **Package**: 48-Pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
8. **Interface**: Parallel  
9. **Endurance**: 100,000 write/erase cycles  
10. **Data Retention**: 20 years  

This device supports both byte and word read operations and is designed for high-performance embedded applications.

Application Scenarios & Design Considerations

Advanced Boot Block Flash Memory (C3) # Technical Documentation: Intel GE28F320C3BD70 Flash Memory Component

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The Intel GE28F320C3BD70 is a 32Mbit (4MB) parallel NOR Flash memory component designed for embedded systems requiring reliable non-volatile storage with fast read access. Primary use cases include:

-  Firmware Storage : Ideal for storing boot code, operating system kernels, and application firmware in embedded systems
-  Configuration Data : Stores system parameters and calibration data that must persist through power cycles
-  Execute-in-Place (XIP) Applications : Enables direct code execution from flash memory without RAM loading
-  Data Logging : Suitable for systems requiring moderate-speed data recording with persistence

### Industry Applications
 Automotive Systems : Engine control units (ECUs), infotainment systems, and telematics modules benefit from the component's extended temperature range and reliability. The -40°C to +85°C operating range makes it suitable for automotive environments.

 Industrial Automation : Programmable logic controllers (PLCs), human-machine interfaces (HMIs), and industrial PCs utilize this flash for program storage and configuration data.

 Networking Equipment : Routers, switches, and network interface cards employ this component for boot firmware and configuration storage.

 Medical Devices : Patient monitoring equipment and diagnostic instruments leverage the reliable data retention characteristics for critical system parameters.

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  Fast Read Performance : 70ns access time enables efficient code execution
-  High Reliability : 100,000 program/erase cycles endurance with 20-year data retention
-  Wide Voltage Range : 2.7V-3.6V operation provides design flexibility
-  Block Protection : Hardware and software lock features prevent accidental modification
-  Standard Interface : Parallel interface compatible with various microcontrollers

 Limitations: 
-  Higher Power Consumption : Compared to serial flash, parallel interface increases power usage
-  Larger Footprint : 56-lead TSOP package requires significant PCB space
-  Slower Write Speeds : Program and erase operations are significantly slower than read operations
-  Legacy Technology : Being a parallel NOR device, it may not be suitable for space-constrained modern designs

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Power Sequencing Issues 
-  Problem : Improper power-up sequencing can cause latch-up or data corruption
-  Solution : Implement proper power management with controlled ramp rates and ensure VCC reaches stable level before applying control signals

 Signal Integrity Challenges 
-  Problem : Long trace lengths and improper termination cause signal reflection and timing violations
-  Solution : Keep address and data lines as short as possible, use series termination resistors (22-33Ω) near the driver

 Write/Erase Failure 
-  Problem : Incomplete program/erase operations due to insufficient timing margins
-  Solution : Strictly adhere to timing specifications, implement proper delay routines, and verify operation completion using status polling

### Compatibility Issues with Other Components
 Microcontroller Interface 
- Compatible with most microcontrollers featuring parallel memory interfaces
- May require voltage level translation when interfacing with 1.8V or 5V systems
- Check timing compatibility with host processor's memory controller specifications

 Mixed Signal Systems 
- Sensitive to noise from switching power supplies and digital circuits
- Maintain adequate separation from noisy components and implement proper decoupling

### PCB Layout Recommendations
 Power Distribution 
- Use dedicated power planes for VCC and VSS
- Place decoupling capacitors (0.1μF ceramic) within 5mm of each VCC pin
- Additional bulk capacitance (10μF) near the component for transient load support

 Signal Routing 
- Route address and data buses as matched-length groups to maintain timing integrity
- Maintain

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