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GE28F640W18TD60 from INTEL

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GE28F640W18TD60

Manufacturer: INTEL

Intel? Wireless Flash Memory

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
GE28F640W18TD60 INTEL 326 In Stock

Description and Introduction

Intel? Wireless Flash Memory The GE28F640W18TD60 is a flash memory component manufactured by Intel. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Memory Type**: NOR Flash  
2. **Density**: 64 Mbit (8 MB)  
3. **Organization**: 8M x 8-bit or 4M x 16-bit  
4. **Supply Voltage**:  
   - **VCC (Core Voltage)**: 1.7V - 1.95V  
   - **VCCQ (I/O Voltage)**: 1.7V - 1.95V  
5. **Access Time**: 70 ns (max)  
6. **Operating Temperature Range**:  
   - **Commercial**: 0°C to +70°C  
   - **Industrial**: -40°C to +85°C  
7. **Package**: 48-ball TFBGA (Thin Fine-Pitch Ball Grid Array)  
8. **Interface**: Parallel (Asynchronous)  
9. **Endurance**: 100,000 program/erase cycles (min) per sector  
10. **Data Retention**: 20 years (min)  
11. **Sector Architecture**:  
    - Uniform 128 KB sectors  

These specifications are based on Intel's official documentation for the GE28F640W18TD60 flash memory component.

Application Scenarios & Design Considerations

Intel? Wireless Flash Memory # GE28F640W18TD60 Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The GE28F640W18TD60 is a 64-Mbit (8-MB) 3V Flash Memory component primarily employed in embedded systems requiring non-volatile storage with fast read access and reliable data retention. Key use cases include:

-  Firmware Storage : Ideal for storing boot code, operating system kernels, and application firmware in embedded computing platforms
-  Configuration Data : Suitable for system parameters, calibration data, and user settings that require persistence across power cycles
-  Data Logging : Capable of storing operational metrics, event logs, and diagnostic information in industrial equipment
-  Code Shadowing : Enables execution-in-place (XIP) functionality for performance-critical applications

### Industry Applications
 Automotive Electronics : 
- Engine control units (ECUs)
- Infotainment systems
- Advanced driver-assistance systems (ADAS)
- *Advantage*: Extended temperature range support (-40°C to +85°C) ensures reliability in harsh automotive environments
- *Limitation*: Not AEC-Q100 qualified; requires additional validation for automotive safety applications

 Industrial Control Systems :
- Programmable logic controllers (PLCs)
- Human-machine interfaces (HMIs)
- Motor drives and robotics
- *Advantage*: High endurance (100,000 program/erase cycles) supports frequent data updates
- *Limitation*: Slower write speeds compared to modern NAND Flash may constrain real-time data acquisition

 Networking Equipment :
- Router and switch firmware
- Network configuration storage
- Boot images for communication processors
- *Advantage*: Asynchronous page mode enables rapid code execution
- *Limitation*: Density may be insufficient for complex network operating systems

 Medical Devices :
- Patient monitoring equipment
- Diagnostic instrument firmware
- Therapeutic device programming
- *Advantage*: Data integrity features support critical healthcare applications
- *Limitation*: Requires additional error correction for life-critical systems

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages :
-  Fast Read Performance : 70 ns initial access, 25 ns page mode access
-  Low Power Operation : 15 mA active read current, 1 μA standby current
-  Hardware Protection : Block locking mechanism prevents accidental modification
-  Extended Temperature Range : Suitable for industrial and automotive environments

 Limitations :
-  Write Speed : 10 μs/byte programming time limits high-speed data acquisition
-  Density Constraints : 64-Mbit capacity may be insufficient for modern complex applications
-  Legacy Interface : Parallel address/data bus requires more PCB real estate than serial Flash
-  Voltage Specificity : 3V-only operation requires level translation in mixed-voltage systems

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Power Sequencing Issues :
- *Pitfall*: Applying signals before VCC reaches specified levels can cause latch-up or data corruption
- *Solution*: Implement proper power sequencing with voltage supervisors and controlled ramp rates

 Signal Integrity Challenges :
- *Pitfall*: Long, unterminated address/data lines cause signal reflections and timing violations
- *Solution*: Use series termination resistors (22-33Ω) close to the Flash memory outputs

 Write Protection Bypass :
- *Pitfall*: Accidental writes due to processor runaway or noise glitches
- *Solution*: Implement hardware write protection using WP# pin and software command sequence verification

### Compatibility Issues with Other Components
 Microcontroller Interfaces :
-  Timing Compatibility : Ensure microcontroller read/write cycle times match Flash memory specifications
-  Voltage Level Matching : 3V Flash requires level shifters when interfacing with 1.8V or

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