N-channel 10A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT The part **GF10NB60SD** is manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Here are its key specifications:

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES)**: 600V  
- **Current Rating (I_C)**: 20A  
- **Package**: TO-247  
- **Technology**: Trench Field Stop  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 200W  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the factual specifications based on STMicroelectronics' datasheet for the GF10NB60SD.