N-Channel Enhancement-Mode MOSFET The part GFB75N03 is a MOSFET manufactured by Vishay. Here are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer**: Vishay  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 300A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V to 3V  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C  

This information is based solely on the provided knowledge base.

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET **Introduction to the GFB75N03 Electronic Component**  

The GFB75N03 is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-efficiency switching applications. With a voltage rating of 30V and a continuous drain current of 75A, this component is well-suited for power management in various electronic systems, including DC-DC converters, motor control circuits, and battery protection modules.  

Featuring low on-resistance (RDS(on)) and fast switching capabilities, the GFB75N03 minimizes power losses, improving overall system efficiency. Its robust construction ensures reliable performance under demanding conditions, making it a practical choice for industrial and automotive applications.  

The MOSFET is housed in a TO-252 (DPAK) package, which provides effective thermal dissipation while maintaining a compact footprint. This makes it suitable for space-constrained designs without compromising thermal performance.  

Engineers and designers often select the GFB75N03 for its balance of high current handling, low conduction losses, and cost-effectiveness. When integrated into circuit designs, proper attention to gate drive requirements and thermal management is essential to maximize performance and longevity.  

In summary, the GFB75N03 is a versatile power MOSFET that delivers efficient switching and reliable operation, making it a valuable component in modern power electronics.