N-Channel Enhancement-Mode MOSFET **Introduction to the GFP60N03 Electronic Component**  

The GFP60N03 is an N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for efficient power management in various electronic applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 30V and a continuous drain current (I_D) of up to 60A, this component is well-suited for high-current switching tasks, such as motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)), the GFP60N03 minimizes power loss and heat generation, enhancing overall system efficiency. Its fast switching capability makes it ideal for high-frequency applications where performance and reliability are critical. Additionally, the MOSFET includes built-in protection against electrostatic discharge (ESD), ensuring durability in demanding environments.  

The GFP60N03 is housed in a TO-252 (DPAK) package, offering a compact footprint while maintaining excellent thermal performance. This makes it suitable for space-constrained designs without compromising power handling.  

Engineers and designers often choose the GFP60N03 for its balance of high current capacity, low resistance, and robust construction, making it a versatile solution for modern power electronics. Proper heat dissipation and circuit design considerations are recommended to maximize its performance and longevity in practical applications.

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET The GFP60N03 is a power MOSFET manufactured by **Giantec Semiconductor**. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 240A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 6.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1-2.5V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET The GFP60N03 is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 60A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 240A
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 9.5mΩ (max) at V_GS = 10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V to 2.5V
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 100nC (typical)
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the GFP60N03.