HN3A51F

Transistor for low frequency small-signal amplification 2 in 1 The part **HN3A51F** is manufactured by **TOS** (Toshiba).  

**Specifications:**  
- **Type:** High-speed switching diode  
- **Package:** SOD-323 (Small Outline Diode)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 30V  
- **Average Rectified Current (IO):** 200mA  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 1A  
- **Forward Voltage (VF):** 1V (at 10mA)  
- **Reverse Recovery Time (trr):** 4ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  

This diode is commonly used in high-speed switching applications, such as signal demodulation and high-frequency circuits.  

(Source: Toshiba Semiconductor datasheet for HN3A51F)

Transistor for low frequency small-signal amplification 2 in 1