M13S64164A-5TIG

1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM The part **M13S64164A-5TIG** is a **64M (4M x 16) CMOS Synchronous DRAM** manufactured by **ESMT (Elite Semiconductor Memory Technology Inc.)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 4M words × 16 bits  
- **Density:** 64M (67,108,864 bits)  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Access Time:** 5ns (CL=3)  
- **Interface:** Synchronous (SDRAM)  
- **Refresh Mode:** Auto-refresh & Self-refresh  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page  
- **CAS Latency (CL):** 2, 3 programmable  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (400 mil width)  

### **Features:**  
- Fully synchronous operation  
- Internal pipelined architecture for high-speed data transfer  
- Programmable burst length and CAS latency  
- Auto precharge and power-down modes  
- Single 3.3V power supply  
- LVTTL-compatible inputs/outputs  

This SDRAM is designed for applications requiring high-speed, low-power memory, such as networking, graphics, and embedded systems.  

Would you like additional details on any specific aspect?

1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM