M48Z58Y-70MH6

64 Kbit (8Kb X 8) ZEROPOWER SRAM The **M48Z58Y-70MH6** is a non-volatile SRAM (nvSRAM) manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Non-Volatile SRAM (nvSRAM)  
- **Density:** 512Kb (64K x 8)  
- **Access Time:** 70ns  
- **Supply Voltage:** 4.5V to 5.5V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 28-pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  
- **Data Retention:** 10 years minimum  
- **Write Endurance:** Unlimited (SRAM), 1 million cycles (EEPROM)  

### **Descriptions:**  
- Combines **SRAM** and **EEPROM** technologies for non-volatile data storage.  
- Automatically stores SRAM data to EEPROM during power loss (auto-store feature).  
- Provides fast SRAM read/write performance with non-volatile backup.  

### **Features:**  
- **Zero Write Time Delay:** Data written to SRAM is simultaneously stored in EEPROM.  
- **High Reliability:** Built-in power-fail circuitry ensures data integrity.  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology for efficient operation.  
- **Industrial-Grade:** Supports extended temperature ranges.  
- **Direct SRAM Interface:** No software changes required for integration.  

This device is commonly used in applications requiring fast, non-volatile memory, such as industrial systems, medical devices, and data logging.

64 Kbit (8Kb X 8) ZEROPOWER SRAM