M58WR064HB70ZB6E

64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Burst) 1.8V supply Flash memories The **M58WR064HB70ZB6E** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NOR Flash  
- **Density:** 64 Mbit (8 MB)  
- **Interface:** Parallel (x8/x16)  
- **Supply Voltage:**  
  - **VCC (Core):** 2.7V - 3.6V  
  - **VCCQ (I/O):** 1.65V - 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:**  
  - **Industrial:** -40°C to +85°C  
- **Sector Architecture:**  
  - **Uniform Sector Size:** 128 KB  
- **Erase/Program:**  
  - **Sector Erase Time:** 0.7s (typical)  
  - **Chip Erase Time:** 15s (typical)  
  - **Word Program Time:** 9μs (typical)  
- **Endurance:**  
  - **100,000 erase/program cycles per sector**  
- **Data Retention:**  
  - **20 years**  

### **Features:**  
- **Low-Power Operation:**  
  - **Active Read Current:** 20 mA (typical)  
  - **Standby Current:** 20 μA (typical)  
- **Advanced Sector Protection:**  
  - **Hardware and Software Locking**  
- **CFI (Common Flash Interface) Compliant**  
- **Compatible with JEDEC Standards**  
- **Packages:**  
  - **TSOP56 (Standard)**  
  - **BGA (Optional, depending on variant)**  

### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Networking equipment  
- Automotive electronics  
- Industrial control systems  

This information is based on STMicroelectronics' official documentation for the **M58WR064HB70ZB6E** NOR Flash memory device.

64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Burst) 1.8V supply Flash memories