M59DR008E

8 MBIT (512KB X16, DUAL BANK, PAGE) LOW VOLTAGE FLASH MEMORY The **M59DR008E** is a **128 Mbit (8 Mbit x16) Low Voltage Boot Block Flash Memory** manufactured by **STMicroelectronics (ST)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Density:** 128 Mbit (8 Mbit x16)  
- **Supply Voltage:** 2.7V to 3.6V  
- **Memory Organization:**  
  - **Main Memory:** 127 Mbit (7,936K x16)  
  - **Boot Block:** 1 Mbit (64K x16)  
- **Access Time:** 70 ns, 90 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Options:**  
  - **TSOP48 (12mm x 20mm)**  
  - **FBGA48 (6mm x 8mm)**  

### **Features:**  
- **Low Voltage Operation:** Compatible with 3V systems  
- **Boot Block Architecture:** Top or bottom configuration  
- **Sector Erase Capability:**  
  - **Main Memory:** 128K-word sectors  
  - **Boot Block:** 8K-word and 32K-word sectors  
- **Fast Program & Erase Times:**  
  - **Word Programming:** 7 μs (typical)  
  - **Sector Erase:** 0.7s (typical)  
  - **Chip Erase:** 15s (typical)  
- **Hardware & Software Data Protection:**  
  - **VPP Pin for Write Protection**  
  - **Block Locking Mechanism**  
- **Compatibility:** JEDEC-standard commands  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles  
- **Data Retention:** 20 years  

### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Networking equipment  
- Automotive electronics  
- Industrial controls  

This flash memory is designed for high-performance, low-power applications requiring reliable non-volatile storage.

8 MBIT (512KB X16, DUAL BANK, PAGE) LOW VOLTAGE FLASH MEMORY