M59MR032C120GC6T

32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory The part **M59MR032C120GC6T** is a **32 Mbit (4 Mbit x 8) MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory)** device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Memory Size:** 32 Mbit (4 Mbit x 8)  
- **Interface:** Parallel (8-bit data bus)  
- **Supply Voltage:** 2.7V to 3.6V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Speed:** 120 ns access time  
- **Endurance:** Virtually unlimited read/write cycles (non-volatile)  
- **Data Retention:** Over 20 years  

### **Features:**  
- **Non-volatile memory** with SRAM-like performance  
- **Fast read/write operations** (comparable to SRAM)  
- **No wear-out mechanism** (unlimited write cycles)  
- **Low power consumption** in standby mode  
- **Industrial-grade reliability**  
- **Asynchronous operation** with no refresh requirement  

This MRAM is suitable for applications requiring **high-speed, non-volatile memory** such as industrial, automotive, and embedded systems.  

(Source: STMicroelectronics datasheet and product documentation.)

32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory