MRF18085A

MRF18085A, MRF18085AR3, MRF18085ALSR3 GSM/GSM EDGE, 1.8-1.88 GHz, 85 W, 26 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs **Introduction to the MRF18085A RF Power Transistor**  

The MRF18085A is a high-performance RF power transistor designed for use in demanding applications such as industrial, scientific, and medical (ISM) equipment, as well as RF power amplifiers in the HF to VHF frequency range. This N-channel enhancement-mode lateral MOSFET is engineered to deliver robust power output with high efficiency, making it suitable for both continuous-wave (CW) and pulsed operations.  

With a frequency range extending up to 600 MHz, the MRF18085A is capable of delivering up to 85 watts of output power under typical operating conditions. Its high gain and excellent thermal stability ensure reliable performance in high-power RF amplification circuits. The device features a rugged design, capable of withstanding high VSWR (Voltage Standing Wave Ratio) conditions, which enhances its durability in real-world applications.  

Key specifications include a drain-source voltage (VDS) rating of 65V and a typical power gain of 16 dB at 175 MHz. The transistor is housed in a reliable, industry-standard package, facilitating easy integration into existing RF amplifier designs.  

Engineers and designers favor the MRF18085A for its consistent performance, efficiency, and ability to handle high-power RF signals with minimal distortion. Whether used in broadcast transmitters, RF heating systems, or communication amplifiers, this transistor provides a dependable solution for high-power RF applications.  

For detailed operating parameters and application guidelines, consult the manufacturer’s datasheet to ensure optimal performance in specific circuit configurations.

MRF18085A, MRF18085AR3, MRF18085ALSR3 GSM/GSM EDGE, 1.8-1.88 GHz, 85 W, 26 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs