MT4C1M16E5DJ-5

The **MT4C1M16E5DJ-5** is a high-performance **1M x 16-bit (16Mb) CMOS Dynamic Random-Access Memory (DRAM)** component designed for applications requiring reliable, fast, and efficient data storage. This DRAM module operates at a **5V supply voltage**, making it suitable for a range of computing and embedded systems where stable performance is essential.  

Featuring a **fast page mode (FPM)** architecture, the MT4C1M16E5DJ-5 offers improved access times compared to standard DRAM, optimizing read and write operations for better system responsiveness. Its **16-bit wide data bus** enables efficient data transfer, making it ideal for memory expansion in industrial control systems, telecommunications equipment, and legacy computing platforms.  

The component is housed in a **300-mil SOJ (Small Outline J-Lead) package**, ensuring compact integration while maintaining robust electrical connections. Its **refresh cycle support** ensures data integrity over extended periods, a critical feature for continuous operation in demanding environments.  

With a **5ns access time**, this DRAM module balances speed and power efficiency, making it a dependable choice for applications where consistent memory performance is required. Engineers and designers working on older or specialized systems will find the MT4C1M16E5DJ-5 a practical solution for memory expansion and retrofitting projects.  

Overall, the MT4C1M16E5DJ-5 remains a relevant component in scenarios where compatibility with 5V systems and reliable DRAM functionality are key considerations.