MX23C1610MC-12

5 Volt 16-Mbit (2M x 8 / 1M x 16) Mask ROM The **MX23C1610MC-12** is a high-performance **16 Megabit (2M x 8-bit) CMOS static random-access memory (SRAM)** designed for applications requiring fast data access and low power consumption. Operating at a **12 ns access time**, this component is well-suited for embedded systems, networking equipment, and industrial automation where speed and reliability are critical.  

Built with advanced CMOS technology, the MX23C1610MC-12 offers **low standby current**, making it ideal for battery-powered and energy-efficient devices. It features a **wide voltage range (3.0V to 3.6V)** and supports **asynchronous operation**, ensuring compatibility with various microcontrollers and processors. The SRAM also includes a **chip enable (CE) input** for power management and a **write enable (WE) control** for simplified data handling.  

With a **compact 32-pin SOP (Small Outline Package)**, the MX23C1610MC-12 provides a balance of performance and space efficiency. Its robust design ensures stable operation in industrial temperature ranges (**-40°C to +85°C**), making it suitable for harsh environments.  

Engineers and designers favor this SRAM for its **high-speed read/write cycles, low power consumption, and reliable data retention**, making it a dependable choice for demanding applications. Whether used in telecommunications, medical devices, or automotive systems, the MX23C1610MC-12 delivers consistent performance and endurance.

5 Volt 16-Mbit (2M x 8 / 1M x 16) Mask ROM