MALH056YG

Silicon planar type The part **MALH056YG** is a **MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)** from **Rohm Semiconductor**.  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures reduced conduction losses for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Isolated Package (TO-220F):** Provides electrical isolation between the MOSFET and heatsink.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged operating conditions.  
- **Applications:** Power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching circuits.  

This MOSFET is designed for high-performance power management in industrial and automotive applications.

Silicon planar type