M29DW323DB70N6E

32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory The **M29DW323DB70N6E** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash (NOR)  
- **Density:** 32 Mbit (4M x 8-bit or 2M x 16-bit)  
- **Supply Voltage:**  
  - **VCC (Core):** 2.7V to 3.6V  
  - **VCCQ (I/O):** 1.65V to 3.6V  
- **Speed:**  
  - **Access Time:** 70 ns  
  - **Page Read Time:** 25 ns  
- **Interface:**  
  - **Asynchronous** (x8/x16 data bus)  
  - **Synchronous Burst Mode** (with clock speeds up to 54 MHz)  
- **Sector Architecture:**  
  - **Uniform 64 KB sectors** (for main array)  
  - **Additional 8 x 4 KB sectors** (for parameter blocks)  
- **Operating Temperature Range:**  
  - **Industrial (-40°C to +85°C)**  
- **Package:**  
  - **TSOP-48 (12mm x 20mm)**  

### **Features:**  
- **Dual-Bank Architecture:** Allows simultaneous read and program/erase operations.  
- **Advanced Sector Protection:**  
  - Hardware and software locking mechanisms.  
  - Permanent and temporary sector protection.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Standby current: **5 µA (typical)**  
  - Active read current: **15 mA (typical at 5 MHz)**  
- **Reliability & Endurance:**  
  - **100,000 program/erase cycles per sector**  
  - **20-year data retention**  
- **Embedded Algorithms:**  
  - **Erase Suspend/Resume**  
  - **Program Suspend/Resume**  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard commands and pinout.  

### **Applications:**  
- Embedded systems, automotive, industrial controls, networking, and consumer electronics.  

For detailed datasheets, refer to **STMicroelectronics' official documentation**.  

(Note: Always verify with the latest manufacturer datasheet for accuracy.)

32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory