4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) single supply Flash memory The M29F400BT70N6E is a flash memory device manufactured by STMicroelectronics (ST).  

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**  

### **Pb-Free Specifications:**  
- The device is **lead-free (Pb-free)** and complies with RoHS (Restriction of Hazardous Substances) directives.  

### **Descriptions:**  
- **Type:** 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16) Flash Memory  
- **Technology:** NOR Flash  
- **Supply Voltage:** 5V Â± 10%  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** TSOP48  

### **Features:**  
- **Asymmetrically Blocked Architecture:**  
  - One 16 Kbyte boot block (top or bottom configuration)  
  - Two 8 Kbyte parameter blocks  
  - One 96 Kbyte main block  
  - One 128 Kbyte main block  
  - One 256 Kbyte main block  
- **Single Voltage Operation:** 5V for read, program, and erase  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 25 mA (typical)  
  - Standby current: 5 ÂµA (typical)  
- **Fast Program/Erase Times:**  
  - Byte programming: 10 Âµs (typical)  
  - Block erase: 1 second (typical)  
- **Hardware Data Protection:**  
  - VPP pin for program/erase lockout  
  - Power supply monitoring for write inhibition  
- **Compatibility:** JEDEC-standard commands  
- **Endurance:** 100,000 program/erase cycles per block  
- **Data Retention:** 20 years  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.

4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) single supply Flash memory The **M29F400BT70N6E** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash (NOR)  
- **Density:** 4 Mbit (512K x 8 or 256K x 16)  
- **Supply Voltage:**  
  - **VCC (Core):** 2.7V to 3.6V  
  - **VPP (Programming Voltage):** 12V (optional for faster programming)  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:**  
  - **Commercial:** 0°C to +70°C  
  - **Industrial:** -40°C to +85°C  
- **Package:** TSOP-48  

### **Descriptions:**  
- **Architecture:** Uniform 64KB sectors (7 sectors) and 8KB boot sectors (2 sectors)  
- **Interface:** Parallel (8-bit or 16-bit data bus)  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector  
- **Data Retention:** 20 years  

### **Features:**  
- **High Performance:** Fast read and program operations  
- **Sector Erase Capability:** Individual sector erase or full-chip erase  
- **Low Power Consumption:**  
  - **Active Read Current:** 15 mA (typical)  
  - **Standby Current:** 1 ÂµA (typical)  
- **Hardware Data Protection:**  
  - VPP pin for write protection  
  - Sector protection/unprotection  
- **Compatibility:** JEDEC-standard command set  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet for the **M29F400BT70N6E** flash memory device.