MBM29DL163BD-90PFTN

Flash memory CMOS 16M (2M x 8/1M x16) bit dual operation The **MBM29DL163BD-90PFTN** is a flash memory device manufactured by **Fujitsu (FUJ)**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash (NOR)  
- **Density:** 16Mbit (2M x 8-bit / 1M x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 90ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Sector Architecture:**  
  - Uniform 64KB sectors  
  - Boot block options available  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector  
- **Data Retention:** 20 years  

### **Descriptions:**  
- The **MBM29DL163BD-90PFTN** is a high-performance **16Mbit (2MB)** NOR flash memory device.  
- It supports both **8-bit and 16-bit** data bus configurations.  
- Designed for **low-voltage operation (2.7V - 3.6V)**, making it suitable for portable and embedded applications.  
- Features **sector erase capability**, allowing individual 64KB blocks to be erased independently.  

### **Features:**  
- **Fast Read Access Time:** 90ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 20mA (typical)  
  - Standby current: 1µA (typical)  
- **Command-Driven Operation:** Compatible with JEDEC standards.  
- **Hardware Data Protection:**  
  - WP# (Write Protect) pin for sector protection  
  - Reset (RP#) pin for device reset  
- **Embedded Algorithms:**  
  - Automatic program/erase with status detection  
  - Sector erase suspend/resume capability  
- **Reliable Data Storage:** Supports **ECC (Error Correction Code)** for enhanced data integrity.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet for the **MBM29DL163BD-90PFTN** by **Fujitsu (FUJ)**.

Flash memory CMOS 16M (2M x 8/1M x16) bit dual operation