MBM29DL164TE-70PFTN

16M (2M x 8/1M x 16) BIT Dual Operation The **MBM29DL164TE-70PFTN** is a flash memory device manufactured by **FUJITSU**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Size:** 16Mbit (2M x 8-bit / 1M x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 70ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  
- **Sector Architecture:** Uniform 64KB sectors  
- **Erase/Program Cycles:** Minimum 100,000 cycles  
- **Data Retention:** 20 years  

### **Descriptions:**  
- The **MBM29DL164TE-70PFTN** is a high-performance **16Mbit CMOS flash memory** with a flexible **x8/x16** data bus configuration.  
- It supports **asynchronous read operations** and features a **low-power standby mode**.  
- The device is designed for applications requiring **non-volatile storage**, such as embedded systems, networking equipment, and industrial controls.  

### **Features:**  
- **Simultaneous Read/Write Operations (SRWO):** Allows reading from one bank while programming/erasing another.  
- **Sector Erase Capability:** Supports **individual sector erase** (64KB sectors).  
- **Hardware Data Protection:** Includes **WP# (Write Protect)** pin and **RESET#** pin for enhanced security.  
- **Automatic Sleep Mode:** Reduces power consumption when inactive.  
- **JEDEC Standard-Compliant:** Ensures compatibility with industry standards.  
- **Fast Program/Erase Times:** Optimized for efficient data updates.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the **MBM29DL164TE-70PFTN** flash memory device.

16M (2M x 8/1M x 16) BIT Dual Operation