MBM29LV160TE90TN

16M (2M X 8/1M X 16) BIT The MBM29LV160TE90TN is a flash memory device manufactured by Fujitsu (FUJ). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Fujitsu (FUJ)  
- **Part Number:** MBM29LV160TE90TN  
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 16 Megabit (2M x 8-bit / 1M x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Organization:**  
  - x8: 2,097,152 words × 8 bits  
  - x16: 1,048,576 words × 16 bits  
- **Sector Architecture:**  
  - Sixteen 16K-word (32K-byte) sectors  
  - One 8K-word (16K-byte) sector  
  - Two 32K-word (64K-byte) sectors  
  - Seven 64K-word (128K-byte) sectors  

### **Descriptions:**
- The MBM29LV160TE90TN is a 16Mbit CMOS flash memory with a uniform sector architecture.  
- It supports both byte (x8) and word (x16) configurations.  
- Designed for high-performance, low-power applications.  
- Features a single power supply operation (2.7V–3.6V).  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:**  
  - 90 ns access time  
- **Low Power Consumption:**  
  - 30 mA active read current (typical)  
  - 1 µA standby current (typical)  
- **Flexible Sector Erase:**  
  - Supports sector-by-sector erase (16K, 32K, 64K, or full chip erase)  
- **Command-Based Interface:**  
  - Compatible with JEDEC-standard commands  
- **Hardware Data Protection:**  
  - Includes reset/power-down detection  
  - Sector protection via programming lockout  
- **Reliability:**  
  - Minimum 100,000 erase/program cycles per sector  
  - Data retention: 20 years  

This information is based solely on the provided knowledge base. No additional suggestions or guidance are included.

16M (2M X 8/1M X 16) BIT