MBM29LV800TA-70

8M (1M x 8/512K x 16) BIT The **MBM29LV800TA-70** is a flash memory device manufactured by **Fuji**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Format:** NOR  
- **Memory Size:** 8Mbit (1M x 8 / 512K x 16)  
- **Speed:** 70ns access time  
- **Voltage Supply:** 2.7V - 3.6V  
- **Interface:** Parallel  
- **Package:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) depending on variant  

### **Descriptions:**  
- The **MBM29LV800TA-70** is a **bottom-boot block** flash memory device.  
- It supports **sector erase** (uniform or non-uniform sectors depending on the variant).  
- Compatible with **JEDEC standards** for flash memory.  
- Designed for **high-performance, low-power** applications.  

### **Features:**  
- **Low power consumption:**  
  - Active read current: 9mA (typical)  
  - Standby current: 1µA (typical)  
- **Flexible sector architecture:**  
  - **Eight 4KWord (8KByte) boot sectors**  
  - **Fifteen 32KWord (64KByte) main sectors**  
- **Hardware and software data protection:**  
  - **Block locking** for secure code storage  
  - **Embedded algorithms** for programming and erase operations  
- **Extended endurance:**  
  - Minimum **100,000 erase/program cycles** per sector  
- **Fast programming and erase times:**  
  - **Byte programming:** 9µs (typical)  
  - **Sector erase:** 0.7s (typical)  
  - **Chip erase:** 15s (typical)  

This information is based on Fuji's official documentation for the **MBM29LV800TA-70** flash memory device.

8M (1M x 8/512K x 16) BIT