HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER The MBR10100CT-E1 is a Schottky Barrier Rectifier manufactured by BCD Semiconductor. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** BCD Semiconductor  
- **Type:** Schottky Barrier Rectifier  
- **Configuration:** Dual Common Cathode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 10A per diode (20A total)  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 150A  
- **Reverse Voltage (VR):** 100V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.85V (typical) at 5A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (typical) at 100V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -55°C to +150°C  
### **Descriptions:**  
- The MBR10100CT-E1 is a high-efficiency Schottky rectifier designed for low-voltage, high-frequency applications.  
- It features a dual common cathode configuration, making it suitable for use in power supplies, converters, and reverse polarity protection circuits.  
### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 10A per diode (20A total).  
- **Fast Switching:** Ideal for high-frequency circuits.  
- **High Surge Current Capacity:** Withstands up to 150A peak surge current.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
These details are sourced from the manufacturer's datasheet and product documentation.