MBR10200CTF-G1

HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER The **MBR10200CTF-G1** is a Schottky Barrier Rectifier manufactured by **BCD Semiconductor**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** BCD Semiconductor  
- **Type:** Schottky Barrier Rectifier  
- **Package:** TO-220F (Fully Molded)  
- **Configuration:** Dual Common Cathode  
- **Maximum Average Forward Current (Io):** 10A per diode (20A total)  
- **Peak Forward Surge Current (Ifsm):** 150A  
- **Maximum Reverse Voltage (Vr):** 200V  
- **Forward Voltage Drop (Vf):** 0.85V (typical) at 10A  
- **Reverse Leakage Current (Ir):** 0.5mA (typical) at 200V  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **MBR10200CTF-G1** is a high-efficiency Schottky rectifier designed for applications requiring low forward voltage drop and high current capability.  
- It features a dual common cathode configuration in a TO-220F package, making it suitable for power supply and DC-DC converter applications.  
- The device is optimized for high-frequency switching due to its fast switching characteristics and minimal reverse recovery time.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Current Capability:** Supports up to 10A per diode (20A total).  
- **High Surge Current Capacity:** Withstands up to 150A peak surge.  
- **Fully Molded Package:** Provides improved thermal performance and mechanical durability.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly design.  
- **Fast Switching:** Reduces switching losses in high-frequency applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER