MBR1060CTF-E1

HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER The MBR1060CTF-E1 is a Schottky Barrier Rectifier diode manufactured by ON Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** ON Semiconductor  
- **Type:** Schottky Barrier Rectifier  
- **Configuration:** Dual Common Cathode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 10A per diode (5A per leg in common cathode configuration)  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 150A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 60V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.71V (typical) at 5A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (typical) at 60V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB (3-pin)  

### **Descriptions:**  
- The MBR1060CTF-E1 is a high-efficiency Schottky rectifier designed for applications requiring low forward voltage drop and fast switching.  
- It features a dual common cathode configuration, making it suitable for synchronous rectification in power supplies and DC-DC converters.  
- The device is optimized for high-frequency operation and minimizes switching losses.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Enhances efficiency in power conversion applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 10A continuous current per diode.  
- **Fast Switching:** Reduces switching losses in high-frequency circuits.  
- **High Surge Current Capability:** Withstands 150A non-repetitive surge current.  
- **Common Cathode Configuration:** Ideal for compact circuit designs.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to ON Semiconductor’s official documentation.

HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER