MBR40H45PT

Dual Schottky Barrier Rectifier, Forward Current 40 A The MBR40H45PT is a Schottky barrier rectifier manufactured by GS (General Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** GS (General Semiconductor)  
- **Part Number:** MBR40H45PT  
- **Type:** Schottky Barrier Rectifier  
- **Package:** TO-247AC (3-pin)  
- **Configuration:** Dual common cathode  
- **Maximum Average Forward Current (Io):** 20A per diode (40A total)  
- **Peak Forward Surge Current (Ifsm):** 300A  
- **Maximum Reverse Voltage (Vr):** 45V  
- **Forward Voltage Drop (Vf):** 0.58V (typical) at 20A  
- **Reverse Leakage Current (Ir):** 1mA (typical) at 45V  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -65°C to +175°C  
- **Storage Temperature Range (Tstg):** -65°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- The MBR40H45PT is a high-efficiency Schottky rectifier designed for low-voltage, high-frequency applications.  
- It features a dual common cathode configuration in a TO-247AC package, making it suitable for power supply and DC-DC converter applications.  
- The device offers low forward voltage drop and fast switching characteristics, reducing power losses.  

### **Features:**
- **High Current Capability:** 20A per diode (40A total).  
- **Low Forward Voltage Drop:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency circuits.  
- **High Surge Current Capacity:** Withstands 300A peak surge current.  
- **High Temperature Operation:** Rated for up to 175°C junction temperature.  
- **Dual Common Cathode Design:** Simplifies circuit layout in parallel configurations.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Dual Schottky Barrier Rectifier, Forward Current 40 A