MBRD620CTT4G

SWITCHMODE Power Rectifiers The **MBRD620CTT4G** is a Schottky diode manufactured by **ON Semiconductor**. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** ON Semiconductor  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Configuration:** Dual Common Cathode  
- **Package:** DPAK (TO-252)  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 6A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 150A  
- **Reverse Voltage (VR):** 20V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.5V (typical) at 6A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 1mA (maximum) at 20V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- Designed for high-efficiency rectification in power applications.  
- Low forward voltage drop minimizes power loss.  
- Fast switching capability for high-frequency applications.  
- Common cathode configuration simplifies PCB layout.  

### **Features:**
- **Low Power Loss:** Optimized for efficiency due to low VF.  
- **High Surge Current Capability:** Handles transient currents up to 150A.  
- **High Temperature Operation:** Suitable for demanding environments.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.

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