SWITCHMODE Power Rectifier The MBRD835LG is a Schottky Barrier Diode (SBD) manufactured by ON Semiconductor. Below are its key specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** ON Semiconductor  
- **Type:** Schottky Barrier Diode (SBD)  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  
- **Configuration:** Dual Common Cathode  
- **Voltage Rating (Vr):** 35V  
- **Average Forward Current (If):** 40A (per diode)  
- **Peak Forward Surge Current (Ifsm):** 300A  
- **Forward Voltage Drop (Vf):** 0.55V (typical at 20A)  
- **Reverse Leakage Current (Ir):** 1.5mA (typical at 35V)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +175°C  
- **Pb-Free:** Yes (RoHS compliant)  
### **Descriptions:**
- Designed for high-efficiency rectification in power applications.  
- Features low forward voltage drop for reduced power loss.  
- Suitable for high-frequency switching applications.  
### **Features:**
- **Dual Common Cathode Configuration** – Saves space in circuit designs.  
- **High Current Capability** – Supports up to 40A per diode.  
- **Low Power Loss** – Optimized for efficiency with minimal Vf.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant** – Environmentally friendly.  
- **High Surge Current Capability** – Robust performance under transient conditions.  
This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics, refer to ON Semiconductor's official documentation.