MBT2222ADW1T1G

General Purpose Transistor The **MBT2222ADW1T1G** is a **NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)** manufactured by **ON Semiconductor**.  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 75V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 200mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **general-purpose amplification and switching applications**.  
- **High current gain (h_FE)** for improved signal amplification.  
- **Low saturation voltage** for efficient switching.  
- **Compact SMD package** for space-constrained PCB designs.  
- **RoHS compliant** and lead-free.  

This transistor is commonly used in **low-power amplification, signal processing, and switching circuits**.

General Purpose Transistor