MBT3904DW

Tech Electronics LTD - Dual General Purpose Transistors The MBT3904DW is a dual NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Taiwan Semiconductor (TAIWAN). Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual NPN BJT  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 200mA (per transistor)  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 200mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The MBT3904DW consists of two independent NPN transistors in a single SOT-363 package.  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for high-speed switching due to its high transition frequency.  

### **Features:**  
- **Dual NPN configuration** in a compact package.  
- **High current gain (h_FE)** for efficient amplification.  
- **Low saturation voltage** for improved switching performance.  
- **High transition frequency (f_T)** for fast switching applications.  
- **Small form factor (SOT-363)** suitable for space-constrained designs.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the MBT3904DW.

Tech Electronics LTD - Dual General Purpose Transistors