### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 35V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 64A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** Typically low on-resistance  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** High power handling capability  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-current switching applications  
- Low gate charge for fast switching performance  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Suitable for power management, motor control, and DC-DC converters  
- Robust construction for reliable operation in demanding environments  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official datasheet from **ZETZX**.

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 35V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min), 2.5V (max)  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **low voltage, high-speed switching** applications.  
- **Low on-resistance** for improved efficiency.  
- **Fast switching speed** for power management applications.  
- **Compact SOT-23 package** for space-constrained designs.  
- Suitable for **DC-DC converters, load switches, and power management** circuits.  

(Source: DIODES ZETEX datasheet)