30V DUAL N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMD63C03XTA is a power MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** ZETEX (Diodes Incorporated)  
- **Part Number:** ZXMD63C03XTA  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**  
- The ZXMD63C03XTA is a P-Channel enhancement-mode MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low-voltage, high-efficiency switching in portable and battery-powered devices.  
- The compact SOT-23 package makes it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- Suitable for load switching, power management, and battery protection circuits.  
- RoHS compliant.  

For further details, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).