60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMN6A11DN8TC is an N-channel MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** ZETEX (Diodes Incorporated)  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-223  

### **Description:**  
The ZXMN6A11DN8TC is a high-performance N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, DC-DC converters, and motor control applications.

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Enhanced thermal performance due to SOT-223 package  
- Suitable for battery-powered and portable applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMN6A11DN8TC is an N-channel MOSFET manufactured by ZETEX/Diodes Incorporated. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.1W  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.035Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** DFN3030-8 (3mm x 3mm)  

### **Descriptions:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Technology:** Advanced TrenchMOS process  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, load switching  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for high efficiency  
- Fast switching performance  
- Low gate charge for improved drive efficiency  
- Lead-free and RoHS compliant  
- AEC-Q101 qualified (for automotive applications)  

This MOSFET is designed for high-performance power switching applications in a compact DFN package.