20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET PowerMOSFET The **HUF76429D3ST** from Fairchild Semiconductor is a high-performance power MOSFET designed for efficient switching applications. This N-channel device is built using advanced trench technology, offering low on-resistance (RDS(on)) and fast switching speeds, making it suitable for power management in a variety of electronic systems.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of 44A, the HUF76429D3ST is well-suited for applications such as DC-DC converters, motor control, and load switching. Its low gate charge (Qg) and robust thermal performance contribute to reduced power losses and improved efficiency in high-frequency circuits.  

The MOSFET is housed in a D2PAK (TO-263) surface-mount package, providing excellent thermal dissipation and mechanical stability. Its lead-free and RoHS-compliant construction ensures environmental compliance, meeting modern industry standards.  

Engineers and designers often choose the HUF76429D3ST for its reliability, compact form factor, and ability to handle high currents with minimal voltage drop. Whether used in automotive electronics, industrial systems, or consumer devices, this component delivers consistent performance under demanding conditions.  

Fairchild Semiconductor’s legacy of quality and innovation is reflected in this MOSFET, making it a dependable choice for power-efficient designs.