OBSOLETE The **M29F100BT90M1** is a Flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (STM)**  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Size:** 1 Mbit (128K x 8 or 64K x 16)  
- **Supply Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  
- **Sector Architecture:** Uniform 16KB sectors (total 8 sectors)  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector  
- **Data Retention:** 20 years  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Performance Flash Memory:** Offers fast read and write operations.  
- **Flexible Sector Erase:** Supports individual sector erase or full chip erase.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **Hardware Data Protection:** Includes a write protection feature to prevent accidental writes.  
- **Compatibility:** Works in both 8-bit and 16-bit configurations.  
- **Reliable Data Storage:** Designed for embedded systems, industrial, and consumer applications.  

This information is based on STMicroelectronics' official documentation for the **M29F100BT90M1** Flash memory device.

OBSOLETE The **M29F100BT90M1** is a **1 Mbit (128Kb x8) Flash memory** manufactured by **STMicroelectronics (ST)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Memory Size:** 1 Mbit (128Kb x8)  
- **Supply Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Organization:** x8 (byte-wide)  
- **Technology:** NOR Flash  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  

### **Features:**  
- **Single Voltage Operation:** 5V for read, program, and erase  
- **Sector Architecture:**  
  - 16 uniform sectors (8 KB each)  
- **Fast Programming:**  
  - Byte programming in 10 µs (typical)  
- **Fast Erase:**  
  - Sector erase in 1 second (typical)  
  - Chip erase in 10 seconds (typical)  
- **Command User Interface (CUI):**  
  - Standard JEDEC-compatible commands  
- **Hardware Data Protection:**  
  - VCC lockout for write protection  
  - Sector protection via programming commands  
- **Low Power Consumption:**  
  - Standby current: 100 µA (max)  
  - Active read current: 30 mA (max)  
- **Reliability:**  
  - Endurance: 100,000 program/erase cycles per sector  
  - Data retention: 20 years  

### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Firmware storage  
- BIOS storage  
- Industrial and automotive systems  

This Flash memory is designed for high-performance, low-power applications requiring reliable non-volatile storage.