8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors) 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory The **M50FLW080ANB5G** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**
1. **Memory Type:** NOR Flash  
2. **Density:** 8 Mbit (1 MB)  
3. **Interface:** Parallel (x8/x16)  
4. **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
5. **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
6. **Access Time:** 70 ns (typical)  
7. **Sector Architecture:** Uniform 64 KB sectors  
8. **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector  
9. **Data Retention:** 20 years  
10. **Package:** TSOP-48  

### **Descriptions:**
- The **M50FLW080ANB5G** is a **3V, 8 Mbit (1 MB) NOR Flash memory** designed for embedded applications requiring reliable non-volatile storage.  
- It supports **asynchronous read and write operations** with a flexible sector architecture.  
- The device is compatible with **x8 and x16 data bus configurations** for system integration.  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:** Active read current (typical) of 15 mA, standby current of 5 µA.  
- **High Reliability:** Built-in error correction and wear-leveling support.  
- **Fast Erase & Program:** Sector erase time of 0.7s (typical), byte programming time of 9 µs.  
- **Hardware & Software Protection:** Block locking and password protection for secure data storage.  
- **Industrial-Grade:** Operates in harsh environments (-40°C to +85°C).  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors) 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory The **M50FLW080ANB5G** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NOR Flash  
- **Density:** 8 Mbit (1 MB)  
- **Interface:** Parallel (Asynchronous)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Speed:** Access time typically 70 ns  
- **Sector Architecture:** Uniform 4 KB sectors  
- **Package:** TSOP48 (Thin Small Outline Package, 48 pins)  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles (minimum)  
- **Data Retention:** 20 years (minimum)  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active read current: 20 mA (typical)  
  - Standby current: 1 µA (typical)  
- **Reliable Data Storage:**  
  - Built-in error correction and wear-leveling support  
- **Fast Erase & Programming:**  
  - Sector erase time: 0.5 sec (typical)  
  - Chip erase time: 10 sec (typical)  
- **Hardware & Software Protection:**  
  - Block locking for secure data storage  
  - WP# (Write Protect) pin for hardware protection  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard pinout for easy replacement  

### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Industrial controls  
- Networking equipment  
- Automotive electronics  
- Consumer electronics  

This information is based on STMicroelectronics' official documentation and datasheets. For detailed technical specifications, refer to the **ST datasheet for M50FLW080ANB5G**.