Dual General Purpose Transistor The part **MBT3946DW1T1G** is a **Dual PNP/NPN Small Signal Transistor** manufactured by **ON Semiconductor**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual PNP/NPN  
- **Configuration:** Matched Pair  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):**  
  - PNP: -40V  
  - NPN: 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):**  
  - PNP: -30V  
  - NPN: 30V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):**  
  - PNP: -5V  
  - NPN: 5V  
- **Collector Current (IC):**  
  - PNP: -500mA  
  - NPN: 500mA  
- **Power Dissipation (PD):** 200mW  
- **DC Current Gain (hFE):**  
  - PNP: 100–300  
  - NPN: 100–300  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (Typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplifier and switching applications.  
- Matched pair configuration ensures balanced performance in differential amplifier circuits.  
- High current gain (hFE) and transition frequency (fT) for improved signal amplification.  
- Compact SOT-363 package for space-constrained PCB designs.  
- Suitable for low-power applications in consumer electronics, communication devices, and industrial controls.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official **ON Semiconductor datasheet**.