512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory The HY29F040AT-90 is a 4 Mbit (512K x 8) CMOS flash memory device manufactured by HY (Hynix). Below are its key specifications:  

- **Organization**: 512K x 8 bits  
- **Supply Voltage**: 5V ± 10%  
- **Access Time**: 90 ns  
- **Operating Current**: 30 mA (typical)  
- **Standby Current**: 100 µA (typical)  
- **Sector Architecture**:  
  - Eight 64K-byte sectors  
  - Any combination of sectors can be erased  
- **Endurance**: 100,000 program/erase cycles per sector  
- **Data Retention**: 10 years minimum  
- **Interface**: Parallel (JEDEC-compatible)  
- **Package**: 32-pin TSOP or PDIP  

This device supports in-system programming and erasure via standard microprocessor control signals.

512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory The HY29F040AT-90 is a 4Mbit (512K x 8) CMOS flash memory manufactured by HYNIX. Below are its key specifications:

- **Organization**: 512K x 8 bits  
- **Supply Voltage**: 5V ± 10%  
- **Access Time**: 90ns  
- **Operating Current**: 30mA (typical)  
- **Standby Current**: 100µA (typical)  
- **Sector Architecture**:  
  - Eight 64Kbyte sectors  
  - Uniform sector size  
- **Endurance**: 100,000 write/erase cycles per sector  
- **Data Retention**: 10 years  
- **Interface**: Parallel (x8)  
- **Package**: 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range**:  
  - Commercial (0°C to +70°C)  
  - Industrial (-40°C to +85°C)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.