HIGH SPEED CMOS SRAM The part **M21L18128A-10J** is manufactured by **ESMT (Elite Semiconductor Memory Technology Inc.)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**
- **Part Number:** M21L18128A-10J  
- **Manufacturer:** ESMT  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mbit (16M x 8)  
- **Organization:** 16 Meg x 8  
- **Voltage Supply:** 3.3V  
- **Speed Grade:** -10J (10ns access time, 100MHz operating frequency)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C), depending on variant  

### **Descriptions:**
- The **M21L18128A-10J** is a high-speed CMOS synchronous DRAM designed for applications requiring high-performance memory.  
- It supports burst read/write operations and auto-refresh modes.  
- The device is compatible with JEDEC standards for SDRAM.  

### **Features:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled commands and data transfer.  
- **Burst Mode Support:** Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** For power-saving modes.  
- **CAS Latency Options:** Typically supports 2 or 3 cycles.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Low power consumption.  
- **Industrial-Grade Options:** Available for extended temperature ranges.  

For exact datasheet details, refer to **ESMT’s official documentation** for the M21L18128A-10J.