64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory The **M29W640GB70ZA6F** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NOR Flash  
- **Density:** 64 Mbit (8 MB)  
- **Organization:**  
  - x16 (2M x 16-bit)  
  - x8 (4M x 8-bit)  
- **Supply Voltage:**  
  - **VCC (Core):** 2.7V - 3.6V  
  - **VPP (Programming Voltage):** 12V (optional for fast programming)  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** TSOP48 (Thin Small Outline Package, 48 pins)  

### **Features:**  
- **Sector Architecture:**  
  - **Uniform 128 KB sectors** (64 sectors in total)  
  - **Additional 8 KB boot sectors** (top or bottom configuration)  
- **High Performance:**  
  - **Fast Read Access Time:** 70 ns  
  - **Page Mode Read:** 25 ns (4-word page buffer)  
- **Programming & Erase:**  
  - **Word/Byte Programming:** 9 µs (typical)  
  - **Sector Erase Time:** 0.7 s (typical)  
  - **Chip Erase Time:** 15 s (typical)  
- **Reliability:**  
  - **Endurance:** 100,000 erase/program cycles per sector  
  - **Data Retention:** 20 years  
- **Security Features:**  
  - **Hardware & Software Protection** against accidental writes  
  - **One-Time Programmable (OTP) Security Registers**  
- **Low Power Consumption:**  
  - **Active Read Current:** 15 mA (typical)  
  - **Standby Current:** 5 µA (typical)  

### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Automotive electronics  
- Networking equipment  
- Industrial control systems  

This information is based on the official STMicroelectronics datasheet for the **M29W640GB70ZA6F** NOR Flash memory.

64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory The M29W640GB70ZA6F is a flash memory device manufactured by Numonyx (now part of Micron Technology). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NOR Flash  
- **Density:** 64 Mbit (8 MB)  
- **Organization:**  
  - 8M x 8-bit or 4M x 16-bit  
- **Supply Voltage:**  
  - **VCC (Core):** 2.7V to 3.6V  
  - **VCCQ (I/O):** 1.65V to 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 48-ball TFBGA (6mm x 8mm)  

### **Descriptions:**  
- **Architecture:** Uniform sector architecture with 128 KB sectors.  
- **Interface:** Supports both 8-bit and 16-bit data bus configurations.  
- **Endurance:** Minimum 100,000 program/erase cycles per sector.  
- **Data Retention:** Up to 20 years.  

### **Features:**  
- **Advanced Sector Protection:**  
  - Hardware and software-controlled locking mechanisms.  
  - Individual sector protection.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active read current: 15 mA (typical)  
  - Standby current: 20 µA (typical)  
- **High Performance:**  
  - Fast program and erase times.  
  - Page mode read for faster access.  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard command set.  
  - Backward-compatible with earlier Numonyx flash devices.  

This device is designed for embedded applications requiring reliable, high-speed non-volatile storage.