4M-BIT [512K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY HIGH SPEED eLiteFlashTM MEMORY The **MX26LV040TC-70G** is a high-performance **4-Megabit (512K x 8) CMOS flash memory** component designed for applications requiring fast read operations and reliable non-volatile storage. Operating at a **70ns access time**, this device is well-suited for embedded systems, industrial controls, and consumer electronics where speed and efficiency are critical.  

Built with advanced **CMOS technology**, the MX26LV040TC-70G offers **low power consumption**, making it ideal for battery-powered devices. It supports a **single 3.3V power supply**, ensuring compatibility with modern low-voltage systems. The flash memory features a **uniform sector architecture**, allowing flexible erase and programming operations in 4KB sectors, which enhances firmware updates and data management.  

With a **wide operating temperature range (-40°C to +85°C)**, this component is robust enough for demanding environments. It also includes **hardware and software data protection** mechanisms to prevent accidental writes, ensuring data integrity.  

The **MX26LV040TC-70G** is available in a **32-pin TSOP package**, providing a compact footprint for space-constrained designs. Its combination of speed, reliability, and power efficiency makes it a versatile choice for engineers developing next-generation electronic systems.

4M-BIT [512K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY HIGH SPEED eLiteFlashTM MEMORY The **MX26LV040TC-70G** is a high-performance **4 Megabit (512K x 8) CMOS flash memory** component designed for applications requiring reliable, non-volatile data storage. Operating at a **3.3V supply voltage**, this device is well-suited for embedded systems, industrial controls, and consumer electronics where low power consumption and fast access times are essential.  

Featuring a **70ns access time**, the MX26LV040TC-70G ensures efficient data retrieval, making it ideal for real-time processing tasks. Its **sector-erasable architecture** allows for flexible memory management, enabling selective erasure of 4KB sectors, full-chip erase, or byte-level programming. This enhances system performance by minimizing unnecessary write cycles.  

Built with **advanced CMOS technology**, the component offers low standby current and high endurance, supporting up to **100,000 program/erase cycles**. It also includes hardware and software data protection mechanisms to prevent accidental writes, ensuring data integrity in critical applications.  

The MX26LV040TC-70G is available in a **32-pin TSOP package**, providing a compact footprint for space-constrained designs. With its robust performance, reliability, and compatibility with standard interfaces, this flash memory component is a dependable choice for developers seeking efficient non-volatile storage solutions.